簡(jiǎn)要描述:Si雪崩平衡探測(cè)器:Si雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪 聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源 的影響;APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Si雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪 聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源 的影響;APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。
產(chǎn)品特點(diǎn)
l噪聲低
l高增益
l內(nèi)置高壓電源
lAPD溫度補(bǔ)償
l結(jié)構(gòu)緊湊
l內(nèi)置低噪隔離電源
應(yīng)用領(lǐng)域
l光纖傳感
l光纖通信
l激光測(cè)距
l光譜測(cè)量
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | BAP D-100M-B | BAP D-200M-B | BAP D-300M-B | BAP D-400M-B | BAP D-500M-B | BAP D-1G-B | BAP D-2G-B | 單位 |
探測(cè)器類(lèi)型 | Si |
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波長(zhǎng) | 400~1100 | nm | ||||||
帶寬 | 100M | 200M | 300M | 400M | 500M | 1G | 2G | Hz |
探測(cè)器響應(yīng)度 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | A/W@850mm |
跨阻增益 | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | V/W |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
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NEP | 0.18 | 0.18 | 018 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.2 | pW/V(Hz) |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC | AC | AC |
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供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學(xué)輸入 | FC/APC(自由空間光可選) |
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射頻輸出 | SMA |
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外形尺寸 | 80*90*25 | mm |
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